高精度,高穩(wěn)定、更安全的新第五代靜電感度儀
本試驗(yàn)儀是 電火工品靜電感度試驗(yàn)設(shè)備,用于測(cè)量電火工品,電管,火**等靜電感度的精密測(cè)量?jī)x器。性能優(yōu)于軍標(biāo)要求,同時(shí)符合軍標(biāo)和軍標(biāo)。
全自動(dòng)放電處理技術(shù),更換電容器、電阻、改變電源極性、調(diào)節(jié)靜電電壓表量程等操時(shí),自動(dòng)放電處理技術(shù),避免了操作人員誤操作的危險(xiǎn)靜電,無論操作人員 正常操作還是誤操作,全自動(dòng)放電處理技術(shù)保證了操作時(shí)人員的安全。
高精度, 高分辨率, 準(zhǔn)*度達(dá)±0.5%,比*標(biāo)的分辨率高10倍
高壓輸出穩(wěn)定性, 30分鐘漂移不大于±0.5%, 比*標(biāo)的穩(wěn)定性高10倍
高壓開關(guān):輸出的漏電壓為0V,更安全
預(yù)置的抗人體靜電試驗(yàn)和靜電感度試驗(yàn)快捷模式,使用更方便,工作效率更高。
大功率無感脈沖電阻, 高壓無感電容、進(jìn)口高壓開關(guān),使用壽命更長(zhǎng)、放電波形更好。
*炸箱與主機(jī)的距離標(biāo)配為3米
訂貨時(shí),可以根據(jù)需要延長(zhǎng)到10米.如果有需要,可以采用抗干擾性強(qiáng)的光纖,可延長(zhǎng)到20公里
本試驗(yàn)儀采用全自動(dòng)消電安全技術(shù),符合并優(yōu)于軍標(biāo)電火工品靜電感度要求的技術(shù)指標(biāo)要求和波形時(shí)間特征要求,用于測(cè)量電火工品,電管,火*-等靜電感度的精密測(cè)量?jī)x器。其主要技術(shù)指標(biāo)如精度和穩(wěn)定性比*標(biāo)要求高。
技術(shù)指標(biāo):
直流高壓電源:輸出電壓0kV~±30.0kV范圍連續(xù)可調(diào),輸出*大電流1mA,精度±0.5%,正負(fù)極性獨(dú)立輸出; (華晶匯高精度電源優(yōu)于標(biāo)準(zhǔn)要求±5%的10倍)
空載高壓輸出穩(wěn)定性,當(dāng)輸出30kV以內(nèi)時(shí),30min電壓漂移不 超出輸出值的0.5%, (華晶匯高穩(wěn)定電源優(yōu)于標(biāo)準(zhǔn)±5%的10倍)
高壓開關(guān) :耐壓30kV以上,當(dāng)開關(guān)未閉合時(shí),高壓輸出的漏電壓為0V,( 華晶匯全自動(dòng)放電處理技術(shù) 保證操作人員的安全)
注:標(biāo)準(zhǔn)要求為“高壓輸出的漏電電壓應(yīng)不大于充電電壓的5%”, 例如當(dāng)充電到30kV時(shí),5%的漏電電壓達(dá)到1500V!
1500V的漏電電壓對(duì)操作人員、對(duì)火工品都是相當(dāng)危險(xiǎn)的,億艾迪將EST808漏電降到了0V,保證操作人員的安全)。
電容器:耐壓30kV以上,標(biāo)配500pf±25pf, 精度為±5%, 其它值可訂貨, 采用進(jìn)口無感脈沖電容,保證了電容放電的壽命和準(zhǔn)確度以及波形特證,并便于 隨時(shí)檢查和更換電容器;
放電電阻:阻值為5000Ω, 功率為5W,精度為±5%, 采用進(jìn)口無感脈沖電阻,保證了電容放電的壽命和準(zhǔn)確度以及波形特證,便于 隨時(shí)更換和檢查電阻;
靜電電壓表:量程不低于30.0kV, 精度為0.5級(jí)高壓輸出顯示:數(shù)字顯示,分辨率達(dá)10V, 準(zhǔn)確度達(dá)1%
整機(jī)放電回路電感值小于5μH。
預(yù)置的抗人體靜電試驗(yàn)和靜電感度試驗(yàn)快捷模式,使用方便 快捷,工作效率更高。
全自動(dòng)放電處理技術(shù),減少了操作人員在更換電容器、電阻、改變電源輸出極性、調(diào)節(jié)靜電電壓表量程等操時(shí),用專用的絕緣棒進(jìn)行放電處理,避免了操作人員誤操作的危險(xiǎn)靜電,無論操作人員正常操作甚至誤操作,保證了操作時(shí)人員的安全的同時(shí),也極大的提高了工作效率。
防護(hù)板:防護(hù)板滿足危險(xiǎn)場(chǎng)所人體防護(hù)要求
*爆箱:全鋼結(jié)構(gòu)(帶有觀察窗和泄壓)或全透明兩種任選一個(gè)。
選配件:高壓探頭:帶寬不低于75MΩ, 上升速率小于4ns,峰值電壓不低于40kV.
:EST883C型CDM靜電放電模擬
高精度1%和穩(wěn)定性0.1%
(電子元器件CDM靜電放電敏感度試驗(yàn))
試驗(yàn)電壓寬(0~±2000V)、精度高0.5%、分辨率高(1V)、穩(wěn)定性好(時(shí)漂小于0.1%)
符合新ANSI/ESDA/JEDEC JS-002-2014標(biāo)準(zhǔn),
過去大家對(duì)人體模型(HBM)和機(jī)器模型(MM)相當(dāng)重視,而忽視了帶電器件模型(CDM)對(duì)器件造成的損壞。近年的研究證明,在自動(dòng)化程度越來越高,器件本身帶電所造成的損壞遠(yuǎn)多于HBM和MM。IC等器件本身由于接觸分離及摩擦如從管內(nèi)倒出帶電,在接觸或處理器件如由機(jī)器手或人取出時(shí)會(huì)時(shí)器件會(huì)發(fā)生放電,在流水在線常見的ESD就是典型的CDM靜電放電。CDM與HBM和MM無論在試驗(yàn)原理方法和程序上都有很大的不同,HBM和MM都是由于IC外部的靜電放電造成IC等器件損壞,通過對(duì)人員和設(shè)備接地就能控制HBM和MM的發(fā)生,而CDM是器件對(duì)其他物體放電所造成的損壞,從模型的基本理論、測(cè)試原理,試驗(yàn)方法,測(cè)試設(shè)備都不同于HBM和MM,而且不可能通過接地來控制CDM, 因而CDM成了近年來電子器件損壞嚴(yán)重、發(fā)生概率大的事件。
EST883C CDM simulator按照新的美標(biāo)準(zhǔn)ANSI/ESDA/JEDEC JS-002-2014 (替代Replacement of ANSI/ESD S5.3.1-2009 & JEDEC JESD22-C101F) 設(shè)計(jì)的測(cè)試CDM的 模擬器,具有試驗(yàn)電壓寬(±1V~±2000V)、精度高0.5%、分辨率高(1V)、穩(wěn)定性好(時(shí)漂小于0.1%)優(yōu)點(diǎn)。
技術(shù)參數(shù):
技術(shù)指標(biāo) (符合并優(yōu)于新ANSI/ESDA/JEDEC JS-002-2014的標(biāo)準(zhǔn):0-1000V)
試驗(yàn)電壓:±1V~±1999V (連續(xù)可調(diào))可從前面板調(diào)節(jié)顯示值
電壓顯示: LED,分辨率:±1V
試驗(yàn)電壓準(zhǔn)確度:±0.5% ±2字
試驗(yàn)電壓穩(wěn)定性:0.1%(小時(shí),預(yù)熱30分鐘以后)
電流波形記錄接口,傳輸線特性阻抗50Ω,可接數(shù)字存儲(chǔ)示波器。
電場(chǎng)感應(yīng)板:75*75mm
放電頭移動(dòng)距離:0~10mm
可更換的放電針
世*通用電源電壓:AC85V~265V/40~65Hz
功耗:約3W, 重量:約3kg
贈(zèng)送附件
1. CDM校準(zhǔn)模塊 大、小各一個(gè),
符合新ANSI/ESDA/JEDEC JS-002-2014標(biāo)準(zhǔn),替代Replacement of ANSI/ESD S5.3.1-2009 & JEDEC JESD22-C101F
2 衰減器:20dB/6GHz,
3. 50歐姆電纜線(Cable)1米
4. 放電探針(PIN): 不少于4個(gè)
5. 探針支架